技术参数

公司技术标准规定了S系列温敏二极管/晶体管以下9个技术参数（4）：

• 标称正向电压V_f与S系列温敏二极管/晶体管型号命名

 标称正向电压V_f是0℃(或25℃)标称工作电流下的正向电压

值，称V_F0或V_F25 。

 S系列温敏二极管/晶体管的命名方法是用S+标称正向电压

命名的，S系列S系列温敏二极管/晶体管的名称与标称正向电压如下表所示。

②特性常数A、B、C

    是特性方程中的特性常数，与产品、工作电流有关，与温度无关，每个产品的A、B、C常数标注在其分度表里。

③标称灵敏度S

   是产品最高使用温度和最低使用温度下的正向电压差与温差的比值，反映了产品正向电压随温度的变化率。

④精度等级

  是产品正向电压的一致性偏差与灵敏度比值的分级。

⑤线性偏差

是产品正向电压-温度特性与线性值的偏差。

⑥热时间常数τ

    热时间常数是S系列温敏二极管/晶体管随周围环境温度变化的响应时间。S系列温敏二极管/晶体管周围环境温度从T₁变化到T₂时，经过时间t(sec.)和S系列温敏二极管/晶体管自身温度T之间有以下关系：

式中的τ(sec.)就是热时间常数。当t=τ时，上式变为：

S系列温敏二极管/晶体管自身温度变化到初期温差的63.2％所需要的时间定义为热时间常数τ(秒)。显然，τ不是S系列温敏二极管/晶体管自身温度达到周围环境温度的时间。热时间常数n倍τ时的温度变化率如下：

τ = 63.2%, 2τ = 86.5%, 3τ = 95.0%, ???? 7τ ≒ 100%

当热时间常数τ为7τ时，S系列温敏二极管/晶体管自身温度到达周围环境温度。

因为S系列温敏二极管/晶体管体积越小，响应速度越快，所以小型S系列温敏二极管/晶体管的热时间常数τ会较小。

S系列温敏二极管/晶体管封装材料及结构会影响其热时间常数，因此，为了提高传感器的温度响应速度，应该缩小传感器的热时间常数，传感器封装时，要使用热传导率高的材料，缩小传感器的体积，减小与被测物之间的热阻。

⑦耗散常数δ

     耗散常数δ是在静止空气环境中，S系列温敏二极管/晶体管通电后自身发热升高1℃时产生的电功率(mW/℃)。在周围温度Ta外加电功率W时，S系列温敏二极管/晶体管自身发热到温度T时，δ有如下表达式：

       δ=W/（T-Ta）=I²R/（T-Ta）                         (4)

式中W为传感器消耗的功率，T为传感器温度升到热平衡是的温度，Ta为传感器周围环境温度，I为传感器工作电流，R为传感器体电阻

耗散常数δ由自热和散热的平衡来决定，所以根据S系列温敏二极管/晶体管周围的环境，使用热传导率高的材料封装S系列温敏二极管/晶体管传感器，会帮助其散热，耗散常数δ会增大；
反之，使用热传导率低的材料封装S系列温敏二极管/晶体管传感器，其耗散常数δ会变小，因此封装材料及周围材料的选择是特别重要。在S系列温敏二极管/晶体管实际工作环境(空气，水，油，热板的接触等)中，由实际检测耗散常数δ获得符合实际工作环境的数据。

为了获得精确的温度测量，在设计电路时，应该减小工作电流，抑制敏感器件自热。

S系列温敏二极管/晶体管在水中自热温升表（）所示。

⑧年漂移△t

    年漂移是S系列温敏二极管/晶体管正向电压年度漂移折算成温度数据，由下式给出：

     △t=△V_f/s

式中△V_f为正向电压年漂移量mV，s为灵敏度mV/℃。

前面曾讲过，S系列温敏二极管/晶体管正向电压年稳定性主要取决于芯片材料与封装材料，首先，S系列温敏二极管/晶体管与热敏电阻芯片材料不同，前者为硅晶体，后者为多晶体，

晶体材料寿命期性能稳定；多晶材料寿命期会再结晶，导致体电阻发生变化。所以二极管/晶体管温度传感器比热敏电阻具有更好的稳定性，年漂移更小，更适合长期使用。传感器封装材料通常都有塑料、玻璃壳、玻璃粉三种，年漂移考核结果证明：

一、塑料封装的传感器，封装前在芯片表面进行了二氧化硅玻璃钝化保护，所以传感器具有很好长期稳定性；

二、玻璃壳封装传感器气密性好，长期稳定性好。

⑨绝缘电阻R

S系列温敏二极管/晶体管的绝缘电阻是“导线”与“封装材料”之间的绝缘性，用R表示阻值。为确保产品耐久性能和安全性，良好的绝缘性能是十分重要的，为此，公司对全部产品进行全数检测绝缘电阻。